課程名稱 |
光電半導體技術 COMPOUND SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY |
開課學期 |
97-1 |
授課對象 |
學程 奈米科技學程 |
授課教師 |
林浩雄 |
課號 |
EE5115 |
課程識別碼 |
921 U7150 |
班次 |
|
學分 |
3 |
全/半年 |
半年 |
必/選修 |
選修 |
上課時間 |
星期三2,3,4(9:10~12:10) |
上課地點 |
電二146 |
備註 |
研究所課程。 總人數上限:30人 |
Ceiba 課程網頁 |
http://ceiba.ntu.edu.tw/971CST |
課程簡介影片 |
|
核心能力關聯 |
本課程尚未建立核心能力關連 |
課程大綱
|
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
|
課程概述 |
本課程介紹以GaAs及InP為主的三五族化合物半導體材料系統的磊晶及製程技術。
一、 光電半導體材料的種類及基本特性
二、 塊材成長技術
三、 真空技術
四、 磊晶技術:分子束磊晶法
五、 磊晶技術:有機金屬化學沈積法
六、磊晶技術:液相磊晶法
七、 製程技術:光罩幕法、乾濕式蝕刻、離子佈值、雜質擴散、歐姆接觸
|
課程目標 |
瞭解並熟悉三五族化合物半導體的基本晶格結構、能帶性質、光學特性、電學特性、磊晶、製程與量測技術 |
課程要求 |
無預修課程 |
預期每週課後學習時數 |
|
Office Hours |
每週三 17:30~18:30 |
指定閱讀 |
|
參考書目 |
T. Swaminathan, and A. T. Macrander, Materials aspects of GaAs and InP based
structures, Prentice Hall, 1991.
A. Katz, Indium Phosphide and related materials: Processing, Technology, and
Devices, Artech House, 1992.
R. E. Willams, GaAs processing technique, 2nd Ed., Artech House, 1990.
|
評量方式 (僅供參考) |
No. |
項目 |
百分比 |
說明 |
1. |
期中考 |
35% |
|
2. |
期末考 |
45% |
|
3. |
作業 |
20% |
|
|
週次 |
日期 |
單元主題 |
第1週 |
9/17 |
Basic properties (lattice and band gap) |
第2週 |
9/24 |
Basic properties (structural properties) |
第3週 |
10/01 |
Basic properties (optical properties) |
第4週 |
10/08 |
Basic properties (electrical properties) |
第5週 |
10/15 |
Bulk growth |
第6週 |
10/22 |
Liquid phase epitaxy |
第7週 |
10/29 |
Vacuum technology |
第8週 |
11/05 |
Vacuum Technology |
第9週 |
11/12 |
Mid term exam |
第10週 |
11/19 |
Molecular beam epitaxy |
第11週 |
11/26 |
Molecular beam epitaxy |
第12週 |
12/03 |
Molecular beam epitaxy |
第13週 |
12/10 |
Molecular beam epitaxy |
第14週 |
12/17 |
VPE and MOCVD |
第15週 |
12/24 |
VPE and MOCVD |
第16週 |
12/31 |
VPE and MOCVD |
第17週 |
1/07 |
Processing (a overview) |
第18週 |
1/14 |
Final exam |
|